设为首页 | 加入收藏
当前位置:八大胜 > 新闻动态 > 凤凰手机博彩娱乐平台 - 三星修改半导体工艺线路图:3nm将放弃FinFET工艺
凤凰手机博彩娱乐平台 - 三星修改半导体工艺线路图:3nm将放弃FinFET工艺
发表日期:2020-01-11 14:54:09 | 点击数:4462 次
本文摘要:虽然台积电、三星的7nm工艺已经上马,英特尔的10nm处理器也在6月开始出货,但晶圆巨头们的制程之战却越发胶着。三星在日前的一场技术交流活动中重新修订未来节点工艺的细节。三星称euv之后,将在3nm工艺节点首发gaa mcfet工艺,预计会在5nm节点后取代finfet结构。实际上,三星手中的5nm也仅仅是7nm lpp改良版,可视为第二代导入euv工艺的产品。在2021年推出的4nm lpe上,

凤凰手机博彩娱乐平台 - 三星修改半导体工艺线路图:3nm将放弃FinFET工艺

凤凰手机博彩娱乐平台,虽然台积电、三星的7nm工艺已经上马,英特尔的10nm处理器也在6月开始出货,但晶圆巨头们的制程之战却越发胶着。

三星在日前的一场技术交流活动中重新修订未来节点工艺的细节。三星称euv之后,将在3nm工艺节点首发gaa mcfet(多桥通道fet)工艺,预计会在5nm节点后取代finfet结构。

相较于年初的路线图,三星6lpp只是简单地引入sdb,从而让晶体管密度提升0.18倍。另一个改变是删除4lpp节点,在路线图上只留下4lpe。三星还将3 gaae和3 gaap更名为3 gae和3 gap。

实际上,三星手中的5nm也仅仅是7nm lpp改良版,可视为第二代导入euv工艺的产品。7nm lpp向后有三个迭代版本,分别是6nm lpp、5nm lpe和4nm lpe。

关于工艺核心指标,5nm lpe虽然沿用7nm lpp的晶体管和sram,但性能增强11%,uhd下的密度会接近130 mtr/mm²,超过英特尔的10nm工艺和台积电的7nm工艺。在2021年推出的4nm lpe上,三星将晶体管密度做到137 mtr/mm²,接近台积电5nm。

澳门永利线上娱乐平台